Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе. НТЦ микроэлектроники РАН

В ЕИСТ угловая часть не датирована, а корпус по Гомельской (в левой части снимка 2) датирован 1964 годом.

Ответ на "В ЕИСТ угловая часть не датирована, а корпус по Го" от Виктор М

 В Росреестре стоит 1988, возможно это относится к угловой части.

Это сборная "солянка" из корпусов разного года постройки. С конца 1930-х до 1970-х.

Сегодня начали сбивать плитку с фасада по Гомельской. До этого плитка много месяцев или лет просто осыпалась на тротуар.

Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, ФГБУН (НТЦ микроэлектроники РАН)

Политехническая ул., 26, лит. З

1983 - проект, ГИПРОНИИ АН СССР, Ленинградское отделение

           арх. Ершов Владимир Федорович, Бочаров Александр Дмитриевич, Меркурьев Евгений Юрьевич

(wikimapia.org, Владимир (вероятно, Ершов), запись от 2019 г.)

1986-1988 - строительство

       см. Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе

Здание объединено одной литерой вместе с:

Здание лаборатории циклотрона

Корпус динамики металлов

Корпус № 4

Корпус № 5. Корпус "Полимеры"

Своеобразная архитектура зданий и комплексов науки, обладающих потенциальной градостроительной значимостью, способствует формированию застройки главных улиц, площадей, важных градостроительных узлов. В числе таких проектов - ансамбль зданий и сооружений ФТИ им. А. Ф. Иоффе на Политехнической площади, Институт цитологии на Тихорецком проспекте, Институт леса на Институтском проспекте, комплекс зданий и сооружений НТО аналитического приборостроения на ул. Маршала Говорова, ВНИИ болезней птиц в г. Ломоносове, академгородок в Шувалово (севернее Новоорловского лесопарка) и многие другие.

(Ленинградское отделение ГИПРОНИИ Академии наук, spb-business.ru)

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук (прежнее название Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур при Физико-техническом институте им. А. Ф. Иоффе) был создан в соответствии с постановлением Президиума академии наук СССР № 75 от 19 марта 1991 г., с целью проведения исследований и разработок в области полупроводниковых оптоэлектронных приборов на базе многокомпонентных эпитаксиальных гетероструктур.

Постановлением Президиума Российской академии наук от 13 декабря 2011 года № 262 изменен тип и наименование Центра. B сooтвeтствии с Указoм Пpезидентa Pocсийскoй Федеpaции oт 15 мaя 2018 r. № 215 "О стpyктypе федеpальныx opганoв исполнительной влacти" и pаспоряжением Пpaвительcтвa Poссийскoй Фeдepaции oт 27 июня 2018 г. № 1293-p Цeнтр пepедан в ведение Mинистepствa наyки и высшегo образования Pocсийскoй Федеpaции.

Научно-методическое руководство НТЦ микроэлектроники РАН и координацию проводимых исследований осуществляет отделение нанотехнологий и информационных технологий РАН (ОНИТ РАН). 

Научная деятельность НТЦ микроэлектроники РАН лежит в области исследований методов эпитаксиального выращивания и диагностики полупроводниковых наногетеоструктур, изучения физических основ работы приборов на основе наногетероструктур, а также включает разработку новых типов опто- и микроэлектронных приборов и последующее продвижения их в промышленность.

(ntcm-ras.ru)